可控硅基本伏安的正反特性

　　可控硅基本伏安特性

　　（1）反向特点

　　当操纵极引路，阳极氧化再加反向工作电压时（详细图2），J2结正偏，但J1、J2结反偏。这时只有穿过不大的反向饱和状态电流，当工作电压进一步提高到J1结的雪崩击穿工作电压后，接差J3结也热击穿，电流快速提升，图3的特点刚开始弯折，如特点AN段图示，弯曲处的工作电压URO叫“反向转折点工作电压”。这时，可控硅会产生永久反向。

　　阳极加上反向电压

　　（2）正向特点

　　当控制极开路，阳极氧化上再加正向工作电压时（见图3），J1、J3结正偏，但J2结反偏，这与一般PN结的反向特点类似，也只有穿过不大电流量，这叫正向阻隔情况，当工作电压提升，图3的特点发生了弯折，如特点OA系统段图示，弯曲处的是UBO叫：正向转折点工作电压

　　阳极加正向电压

　　因为工作电压上升到J2结的雪崩击穿工作电压后，J2结产生山崩增长效用，在结区造成很多的电子器件和空化，电子器件时入N1区，空化时入P2区。进到N1区的电子器件与由P1区根据J1结引入N1区的空化复合型，一样，进到P2区的空化与由N3区根据J3结引入P2区的电子器件复合型，雪崩击穿，进到N1区的电子器件与进到P2区的空化分别不可以所有复合型掉，那样，在N1区就会有电子器件累积，在P2区就会有空化累积，結果使P2区的电位差上升，N1区的电位差降低，J2结变为正偏，要是电流量稍提升，工作电压便快速降低，出現说白了负阻特点，见图3的虚线AC段。

　　这时候J1、J2、J3三个结均处在正偏，可控硅便进到正向导电性情况---通态，这时，它的特点与一般的PN结正向特点类似，（由此可见图2中的BC段）。

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