可控硅投切开关与复合开关相比有哪些优缺点

　　目前市场上大家对可控硅投切开关（也称晶闸管投切开关）的第一印象就是价格高，发热大，功耗高，那跟复合开关相比还有哪些优点存在呢？

　　我们先来看看各自的特点：

　　一、 可控硅投切开关特点

　　一般用于TSC技术的低压动态补偿用的可控硅都采用大功率晶闸管反并联封装，其额定电流可达数百安培以上，反向耐压可达1800v以上。由于其具有电力电子器件的特性，因此在通过检测电压过零点时给可控硅触发信号实现无触点、无涌流投切，并且响应时间快，在20ms之内，即半个波形周期内就能实现触发导通。

　　由于可控硅属半导体器件，通态电流比较大时，会有一定的发热。但现在配电房环境越来越好，很多都配备了空调，且现在电容器大部分都加了串联电抗器，温升问题已经被统一对待处理。特别适用于需要频繁投切的重要配电场合。而且现在很多地区在大力推广混合补偿，更给了可控硅投切开关新的用武之地。

　　二、 复合开关特点

　　复合开关又叫机电一体化开关，是由交流接触器和可控硅相并联封装而成。其导通利用可控硅实现无涌流投切，投切完成后再将交流接触器主回路闭合，并退出可控硅。这一优点是运行时发热相对于可控硅稍小一些。

　　复合开关因交流接触器与可控硅的相互制约导致无法实现较大的通态电流，反向耐压只能达到1600v并且投切过程复杂，可控硅开断频繁，容易被击穿，造成故障率较高，一般用于不需要频繁投切的非重要配电场合。

　　三、两者应用的差异分析

　　首先从运行维护上考虑，通常用三只单相的可控硅固定在铝合金强制风冷散热模块上，后期维护方便，如出现某只可控硅损坏可快速更换，其他可控硅可继续使用。由于复合开关采用交流接触器与可控硅小形三端封装，如内部任意部件出现故障，只能将整体更换，且故障率要高于可控硅投切开关，后期综合维护费用高。